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SQJ152EP-T1_GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 114 A, 0.004 ohm, PowerPAK SO, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SQJ152EP-T1_GE3
库存编号3765815RL
产品范围TrenchFET Gen IV
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds40V
电流, Id 连续114A
漏源接通状态电阻0.004ohm
晶体管封装类型PowerPAK SO
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散136W
针脚数8引脚
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Gen IV
合规AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)Lead (07-Nov-2024)
产品概述
- 汽车N沟道40V（D-S）175°C MOSFET
- TrenchFET®Gen IV功率MOSFET
- AEC-Q101合规
- 100 %Rg和UIS测试
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
114A
晶体管封装类型
PowerPAK SO
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
136W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
0.004ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET Gen IV
SVHC(高度关注物质)
Lead (07-Nov-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001