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SQJ211ELP-T1_GE3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 100 V, 33.6 A, 0.03 ohm, PowerPAK SO, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY13.600 (CNY15.368) |
| 10+ | CNY9.640 (CNY10.8932) |
| 100+ | CNY6.920 (CNY7.8196) |
| 500+ | CNY5.520 (CNY6.2376) |
| 1000+ | CNY4.490 (CNY5.0737) |
| 5000+ | CNY4.400 (CNY4.972) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY13.60 (CNY15.37 含税)
品項附註
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技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
33.6A
晶体管封装类型
PowerPAK SO
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
68W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
0
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.03ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
SQJ211ELP-T1_GE3 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:0
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产品合规证书
重量（千克）：.000001