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SQJ570EP-T1_GE3
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 100 V, 100 V, 15 A, 15 A, 0.0365 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY13.340 (CNY15.0742) |
| 10+ | CNY8.470 (CNY9.5711) |
| 100+ | CNY5.670 (CNY6.4071) |
| 500+ | CNY4.490 (CNY5.0737) |
| 1000+ | CNY3.980 (CNY4.4974) |
| 5000+ | CNY3.460 (CNY3.9098) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SQJ570EP-T1_GE3
库存编号3470697
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道100V
漏源电压Vds P沟道100V
连续漏极电流 Id N沟道15A
连续漏极电流 Id P沟道15A
漏源通态电阻N沟道0.0365ohm
漏源导通电阻P沟道0.0365ohm
晶体管封装类型PowerPAK SO
针脚数8引脚
耗散功率N沟道27W
耗散功率P沟道27W
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Series
合规AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
100V
连续漏极电流 Id P沟道
15A
漏源导通电阻P沟道
0.0365ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
27W
产品范围
TrenchFET Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压Vds N沟道
100V
连续漏极电流 Id N沟道
15A
漏源通态电阻N沟道
0.0365ohm
晶体管封装类型
PowerPAK SO
耗散功率N沟道
27W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000127