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SQJB00EP-T1_GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.0105 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY11.430 (CNY12.9159) |
| 10+ | CNY8.210 (CNY9.2773) |
| 100+ | CNY5.810 (CNY6.5653) |
| 500+ | CNY4.600 (CNY5.198) |
| 1000+ | CNY4.220 (CNY4.7686) |
| 5000+ | CNY3.830 (CNY4.3279) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SQJB00EP-T1_GE3
库存编号3772874
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道30A
连续漏极电流 Id P沟道30A
漏源通态电阻N沟道0.0105ohm
漏源导通电阻P沟道0.0105ohm
晶体管封装类型PowerPAK SO
针脚数4引脚
耗散功率N沟道48W
耗散功率P沟道48W
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Series
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id P沟道
30A
漏源导通电阻P沟道
0.0105ohm
针脚数
4引脚
耗散功率P沟道
48W
产品范围
TrenchFET Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
30A
漏源通态电阻N沟道
0.0105ohm
晶体管封装类型
PowerPAK SO
耗散功率N沟道
48W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001