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SQJB42EP-T1_GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 7900 µohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY12.110 (CNY13.6843) |
| 10+ | CNY8.690 (CNY9.8197) |
| 100+ | CNY6.050 (CNY6.8365) |
| 500+ | CNY4.780 (CNY5.4014) |
| 1000+ | CNY3.860 (CNY4.3618) |
| 5000+ | CNY3.790 (CNY4.2827) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SQJB42EP-T1_GE3
库存编号2729832
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道40V
漏源电压Vds P沟道40V
连续漏极电流 Id N沟道30A
连续漏极电流 Id P沟道30A
漏源通态电阻N沟道7900µohm
漏源导通电阻P沟道7900µohm
晶体管封装类型PowerSO
针脚数8引脚
耗散功率N沟道48W
耗散功率P沟道48W
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Series
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
40V
连续漏极电流 Id P沟道
30A
漏源导通电阻P沟道
7900µohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
48W
产品范围
TrenchFET Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
40V
连续漏极电流 Id N沟道
30A
漏源通态电阻N沟道
7900µohm
晶体管封装类型
PowerSO
耗散功率N沟道
48W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001