打印页面
SQJB80EP-T1_GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 80 V, 80 V, 30 A, 30 A, 0.0155 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
1,445 有货
3,000 您现在可以预订货品了
1445 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY10.740 (CNY12.1362) |
| 10+ | CNY7.500 (CNY8.475) |
| 100+ | CNY5.880 (CNY6.6444) |
| 500+ | CNY4.990 (CNY5.6387) |
| 1000+ | CNY4.430 (CNY5.0059) |
| 5000+ | CNY3.870 (CNY4.3731) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY10.74 (CNY12.14 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SQJB80EP-T1_GE3
库存编号2708321
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道80V
漏源电压Vds P沟道80V
连续漏极电流 Id N沟道30A
连续漏极电流 Id P沟道30A
漏源通态电阻N沟道0.0155ohm
漏源导通电阻P沟道0.0155ohm
晶体管封装类型PowerPAK SO
针脚数8引脚
耗散功率N沟道48W
耗散功率P沟道48W
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Series
合规AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
80V
连续漏极电流 Id P沟道
30A
漏源导通电阻P沟道
0.0155ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
48W
产品范围
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
80V
连续漏极电流 Id N沟道
30A
漏源通态电阻N沟道
0.0155ohm
晶体管封装类型
PowerPAK SO
耗散功率N沟道
48W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000186