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SQJB80EP-T1_GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 80 V, 80 V, 30 A, 30 A, 0.0155 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SQJB80EP-T1_GE3
库存编号2708321
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道80V
漏源电压Vds P沟道80V
连续漏极电流 Id N沟道30A
连续漏极电流 Id P沟道30A
漏源通态电阻N沟道0.0155ohm
漏源导通电阻P沟道0.0155ohm
晶体管封装类型PowerPAK SO
针脚数8引脚
耗散功率N沟道48W
耗散功率P沟道48W
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Series
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
80V
连续漏极电流 Id P沟道
30A
漏源导通电阻P沟道
0.0155ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
48W
产品范围
TrenchFET Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
80V
连续漏极电流 Id N沟道
30A
漏源通态电阻N沟道
0.0155ohm
晶体管封装类型
PowerPAK SO
耗散功率N沟道
48W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000186