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SQJQ150E-T1_GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 233 A, 0.0019 ohm, PowerPAK, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY18.090 (CNY20.4417) |
| 10+ | CNY13.250 (CNY14.9725) |
| 100+ | CNY9.590 (CNY10.8367) |
| 500+ | CNY8.060 (CNY9.1078) |
| 1000+ | CNY7.370 (CNY8.3281) |
| 5000+ | CNY6.670 (CNY7.5371) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
233A
晶体管封装类型
PowerPAK
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
187W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
0.0019ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.8V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET Gen IV Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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产品合规证书
重量（千克）：.000363