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SQJQ980EL-T1_GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 80 V, 80 V, 36 A, 36 A, 3600 µohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY26.360 (CNY29.7868) |
| 10+ | CNY17.220 (CNY19.4586) |
| 100+ | CNY11.960 (CNY13.5148) |
| 500+ | CNY10.290 (CNY11.6277) |
| 1000+ | CNY10.090 (CNY11.4017) |
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最低: 1
多件: 1
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SQJQ980EL-T1_GE3
库存编号3470683
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道80V
漏源电压Vds P沟道80V
连续漏极电流 Id N沟道36A
连续漏极电流 Id P沟道36A
漏源通态电阻N沟道3600µohm
漏源导通电阻P沟道3600µohm
晶体管封装类型PowerPAK
针脚数8引脚
耗散功率N沟道187W
耗散功率P沟道187W
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Series
合规AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
80V
连续漏极电流 Id P沟道
36A
漏源导通电阻P沟道
3600µohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
187W
产品范围
TrenchFET Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压Vds N沟道
80V
连续漏极电流 Id N沟道
36A
漏源通态电阻N沟道
3600µohm
晶体管封装类型
PowerPAK
耗散功率N沟道
187W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00018