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SQS966ENW-T1_GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 6 A, 6 A, 0.028 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SQS966ENW-T1_GE3
库存编号2932992
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道6A
连续漏极电流 Id P沟道6A
漏源通态电阻N沟道0.028ohm
漏源导通电阻P沟道0.028ohm
晶体管封装类型PowerPAK 1212
针脚数8引脚
耗散功率N沟道27.8W
耗散功率P沟道27.8W
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Series
合规AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)0
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id P沟道
6A
漏源导通电阻P沟道
0.028ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
27.8W
产品范围
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
6A
漏源通态电阻N沟道
0.028ohm
晶体管封装类型
PowerPAK 1212
耗散功率N沟道
27.8W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
0
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:0
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000082