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SQS966ENW-T1_GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 6 A, 6 A, 0.028 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SQS966ENW-T1_GE3
库存编号2932992RL
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型N通道
晶体管极性N沟道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续6A
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道6A
在电阻RDS（上）0.028ohm
连续漏极电流 Id P沟道6A
漏源通态电阻N沟道0.028ohm
晶体管安装表面安装
漏源导通电阻P沟道0.028ohm
Rds(on)测试电压10V
晶体管封装类型PowerPAK 1212
阈值栅源电压最大值2V
功耗 Pd27.8W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道27.8W
耗散功率P沟道27.8W
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Series
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)0
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
60V
电流, Id 连续
6A
连续漏极电流 Id N沟道
6A
连续漏极电流 Id P沟道
6A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
27.8W
产品范围
TrenchFET Series
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
0
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
60V
漏源电压Vds P沟道
60V
在电阻RDS（上）
0.028ohm
漏源通态电阻N沟道
0.028ohm
漏源导通电阻P沟道
0.028ohm
晶体管封装类型
PowerPAK 1212
功耗 Pd
27.8W
耗散功率N沟道
27.8W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
MSL
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:0
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000082