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| 10+ | CNY3.140 (CNY3.5482) |
| 100+ | CNY2.250 (CNY2.5425) |
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| 1000+ | CNY1.650 (CNY1.8645) |
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最低: 5
多件: 5
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品項附註
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产品概述
High speed infrared emitting diode, 940nm, GaAlAs, MQW suitable for use in infrared remote control units.
- High speed
- High radiant power
- Low forward voltage
- Suitable for high pulse current operation
- Angle of half intensity = ± 22°
- Good spectral matching to Si photodetectors
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
峰值波长
940nm
二极管封装类型
T-1 (3mm)
上升时间
15ns
正向电流 If 平均值
100mA
工作温度最小值
-25°C
汽车质量标准
-
湿气敏感性等级
-
半强角度
22°
辐射强度 (Ie)
15mW/Sr
衰减时间 tf
15ns
正向电压 Vf 最大值
1.62V
工作温度最高值
85°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (07-Nov-2024)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85414100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000134