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100+ | CNY2.230 (CNY2.5199) |
500+ | CNY1.830 (CNY2.0679) |
1000+ | CNY1.710 (CNY1.9323) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号VSLB3948
库存编号2504157
技术数据表
峰值波长940nm
半强角度22°
二极管封装类型T-1 (3mm)
辐射强度 (Ie)15mW/Sr
上升时间15ns
衰减时间 tf15ns
正向电流 If 平均值100mA
正向电压 Vf 最大值1.62V
工作温度最小值-25°C
工作温度最高值85°C
汽车质量标准-
产品范围-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (07-Nov-2024)
产品概述
High speed infrared emitting diode, 940nm, GaAlAs, MQW suitable for use in infrared remote control units.
- High speed
- High radiant power
- Low forward voltage
- Suitable for high pulse current operation
- Angle of half intensity = ± 22°
- Good spectral matching to Si photodetectors
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
峰值波长
940nm
二极管封装类型
T-1 (3mm)
上升时间
15ns
正向电流 If 平均值
100mA
工作温度最小值
-25°C
汽车质量标准
-
MSL
-
半强角度
22°
辐射强度 (Ie)
15mW/Sr
衰减时间 tf
15ns
正向电压 Vf 最大值
1.62V
工作温度最高值
85°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (07-Nov-2024)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85414100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000134