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VSMB2000X01
红外发射器, 高速, 940 nm, 12 °, SMD, 15 mW/Sr, 15 ns, 15 ns
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|---|---|
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| 10+ | CNY4.120 (CNY4.6556) |
| 25+ | CNY3.810 (CNY4.3053) |
| 50+ | CNY3.520 (CNY3.9776) |
| 100+ | CNY3.210 (CNY3.6273) |
| 500+ | CNY2.700 (CNY3.051) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号VSMB2000X01
库存编号1779753
技术数据表
波长峰值940nm
半强角度12°
二极管封装类型SMD
辐射强度 (Ie)15mW/Sr
上升时间15ns
衰减时间 tf15ns
正向电流 If 平均值100mA
正向电压 Vf 最大值1.35V
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
汽车质量标准AEC-Q101
产品范围-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (07-Nov-2024)
产品概述
The VSMB2000X01 is a 940nm Infrared Emitting Diode in GaAlAs (DH) technology with high radiant power and high speed, moulded in clear. It is suitable for use in IrDA compatible data transmission, miniature light barrier, photointerrupters, optical switch, control and drive circuits and shaft encoders.
- AEC-Q101 qualified
- High reliability
- High radiant power
- High radiant intensity
- Low forward voltage
- Terminal configurations - Gull-wing or reserve gull-wing
- ±12° Angle of half intensity
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
波长峰值
940nm
二极管封装类型
SMD
上升时间
15ns
正向电流 If 平均值
100mA
工作温度最小值
-40°C
汽车质量标准
AEC-Q101
MSL
-
半强角度
12°
辐射强度 (Ie)
15mW/Sr
衰减时间 tf
15ns
正向电压 Vf 最大值
1.35V
工作温度最高值
85°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (07-Nov-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85414100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002