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VSMY1850X01
红外发射器, 高速, 850 nm, 60 °, 0805, 10 mW/Sr, 10 ns, 10 ns
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY8.790 (CNY9.9327) |
| 10+ | CNY6.200 (CNY7.006) |
| 25+ | CNY5.680 (CNY6.4184) |
| 50+ | CNY5.160 (CNY5.8308) |
| 100+ | CNY4.630 (CNY5.2319) |
| 500+ | CNY3.930 (CNY4.4409) |
包装规格：每个
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号VSMY1850X01
库存编号2251605
技术数据表
波长峰值850nm
半强角度60°
二极管封装类型0805
辐射强度 (Ie)10mW/Sr
上升时间10ns
衰减时间 tf10ns
正向电流 If 平均值100mA
正向电压 Vf 最大值-V
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
汽车质量标准AEC-Q101
产品范围-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (07-Nov-2024)
产品概述
High speed infrared emitting diodes, 850nm, surface emitter technology suitable for use in IrDA compatible data transmission, miniature light barrier, photo interrupters, optical switch, emitter source for proximity sensors, IR touch panels, IR flash, IR illumination and 3D TV.
- AEC-Q101 qualified
- High reliability
- High radiant power
- High radiant intensity
- High speed
- Angle of half intensity = ±60°
- Suitable for high pulse current operation
技术规格
波长峰值
850nm
二极管封装类型
0805
上升时间
10ns
正向电流 If 平均值
100mA
工作温度最小值
-40°C
汽车质量标准
AEC-Q101
MSL
-
半强角度
60°
辐射强度 (Ie)
10mW/Sr
衰减时间 tf
10ns
正向电压 Vf 最大值
-V
工作温度最高值
85°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (07-Nov-2024)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000108