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VSMY2853G
红外发射器, 850 nm, 28 °, SMD, 10 mW/Sr, 10 ns, 10 ns
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| 10+ | CNY4.010 (CNY4.5313) |
| 25+ | CNY3.560 (CNY4.0228) |
| 50+ | CNY3.120 (CNY3.5256) |
| 100+ | CNY2.670 (CNY3.0171) |
| 500+ | CNY2.610 (CNY2.9493) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号VSMY2853G
库存编号2504167
技术数据表
波长峰值850nm
半强角度28°
二极管封装类型SMD
辐射强度 (Ie)10mW/Sr
上升时间10ns
衰减时间 tf10ns
正向电流 If 平均值100mA
正向电压 Vf 最大值1.9V
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
汽车质量标准-
产品范围-
MSLMSL 2A - 4星期
SVHC(高度关注物质)No SVHC (07-Nov-2024)
产品概述
VSMY2853G is a VSMY2853 series high speed infrared emitting diode. This is infrared, 850nm emitting diodes based on GaAlAs surface emitter chip technology with extreme high radiant intensities, high optical power and high speed, moulded in clear, untinted plastic packages (with lens) for surface mounting (SMD). Application includes miniature light barrier, photo interrupters, optical switch, emitter source for proximity sensors, IR touch panels, IR illumination.
- High reliability, high radiant power
- Very high radiant intensity
- Angle of half intensity is ±28° (Tamb = 25°C)
- Suitable for high pulse current operation
- Terminal configurations gullwing or reverse gullwing
- 10ns typ fall time ( IF = 100mA, 10% to 90%), 50mW/sr typ radiant intensity IF = 100 mA, tp = 20 ms)
- 10ns typ rise time ( IF = 100mA, 10% to 90%), 850nm typ peak wavelength (IF = 100mA)
- 100mA forward current (Tamb = 25°C)
- Operating temperature range from -40 to +85°C
- Dimensions (L x W x H) is 2.3 x 2.3 x 2.55mm
技术规格
波长峰值
850nm
二极管封装类型
SMD
上升时间
10ns
正向电流 If 平均值
100mA
工作温度最小值
-40°C
汽车质量标准
-
MSL
MSL 2A - 4星期
半强角度
28°
辐射强度 (Ie)
10mW/Sr
衰减时间 tf
10ns
正向电压 Vf 最大值
1.9V
工作温度最高值
85°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (07-Nov-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85414300
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000016