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C2M0160120D 的替代之选
找到 4 件产品
产品概述
C2M0160120D是一款1.2kV N沟道增强型碳化硅功率MOSFET, 低电容, 快开关速度. Z-FET™MOSFET是高频应用的理想选择. 碳化硅功率MOSFET具有更高的系统效率, 降低了冷却要求并提高了系统开关频率.
- 高阻断电压, 低RDS (on)
- 易于并联, 易于驱动
- 抗闭锁
- 无卤素
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
19A
漏源接通状态电阻
0.16ohm
针脚数
3引脚
阈值栅源电压最大值
2.6V
工作温度最高值
150°C
湿气敏感性等级
-
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
20V
功率耗散
125W
产品范围
C2M
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Dec-2015)
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.008301