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C3M0065090D
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 36 A, 900 V, 0.065 ohm, TO-247
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| 10+ | CNY120.000 (CNY135.600) |
| 50+ | CNY111.970 (CNY126.5261) |
| 100+ | CNY103.940 (CNY117.4522) |
| 250+ | CNY95.910 (CNY108.3783) |
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产品概述
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技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
36A
漏源接通状态电阻
0.065ohm
针脚数
3引脚
阈值栅源电压最大值
2.1V
工作温度最高值
150°C
湿气敏感性等级
-
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
900V
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
15V
功率耗散
125W
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Dec-2015)
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.008292