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1.9A 双MOSFET:
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通道类型
晶体管极性
漏源电压, Vds
漏源电压Vds N沟道
电流, Id 连续
漏源电压Vds P沟道
连续漏极电流 Id N沟道
在电阻RDS（上）
连续漏极电流 Id P沟道
晶体管安装
漏源通态电阻N沟道
Rds(on)测试电压
漏源导通电阻P沟道
晶体管封装类型
阈值栅源电压最大值
功耗 Pd
针脚数
耗散功率N沟道
耗散功率P沟道
工作温度最高值
产品范围
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
| 比较 | 包装规格 | 数量 | ||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
单件（切割供应） 复卷 包装选项 | 100+ CNY3.930 (CNY4.4409)500+ CNY2.790 (CNY3.1527)1500+ CNY2.740 (CNY3.0962) | 最少：100 / 多个：5 | N和P沟道 | 互补N与P沟道 | 20V | 20V | 1.9A | 20V | 2.7A | 0.069ohm | 1.9A | 表面安装 | 0.08ohm | 4.5V | 0.17ohm | SuperSOT | 900mV | 960mW | 6引脚 | 960mW | 960mW | 150°C | PowerTrench Series | |||||
单件（切割供应） 复卷 包装选项 | 100+ CNY3.000 (CNY3.390)500+ CNY2.310 (CNY2.6103)1000+ CNY2.020 (CNY2.2826)5000+ CNY1.720 (CNY1.9436) | 最少：100 / 多个：1 | P通道 | P沟道 | 20V | - | 1.9A | 20V | - | 0.127ohm | 1.9A | 表面安装 | - | 4.5V | 0.17ohm | SuperSOT | 900mV | 960mW | 6引脚 | - | 960mW | 150°C | PowerTrench Series | |||||
