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FDC6306P
双路场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 1.9 A
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDC6306P
库存编号9844929RL
技术数据表
晶体管极性P沟道
通道类型P通道
漏源电压, Vds20V
漏源电压Vds N沟道-
电流, Id 连续1.9A
漏源电压Vds P沟道20V
在电阻RDS（上）0.127ohm
连续漏极电流 Id N沟道-
连续漏极电流 Id P沟道1.9A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道-
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道0.17ohm
晶体管封装类型SuperSOT
阈值栅源电压最大值900mV
针脚数6引脚
功耗 Pd960mW
耗散功率N沟道-
耗散功率P沟道960mW
工作温度最高值150°C
产品范围PowerTrench Series
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
FDC6306P 是一款双P沟道MOSFET, 采用先进的PowerTrench®工艺制造. 经过专门设计, 可最大限度地降低导通电阻, 同时保持低栅极电荷, 以实现出色的开关性能. 该器件具有非常小的占位面积, 卓越的功耗, 适用于负载开关和电池保护应用等.
- 低栅极电荷
- 快速开关速度
- 高性能沟道技术, 极低的Rds (ON)
- 占位空间小
- 薄型
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
晶体管极性
P沟道
漏源电压, Vds
20V
电流, Id 连续
1.9A
在电阻RDS（上）
0.127ohm
连续漏极电流 Id P沟道
1.9A
漏源通态电阻N沟道
-
漏源导通电阻P沟道
0.17ohm
阈值栅源电压最大值
900mV
功耗 Pd
960mW
耗散功率P沟道
960mW
产品范围
PowerTrench Series
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
通道类型
P通道
漏源电压Vds N沟道
-
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
-
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
SuperSOT
针脚数
6引脚
耗散功率N沟道
-
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000016