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FDC6327C
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 20 V, 20 V, 2.7 A, 1.9 A, 0.08 ohm
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDC6327C
库存编号9844856RL
技术数据表
晶体管极性互补N与P沟道
通道类型N和P沟道
漏源电压, Vds20V
漏源电压Vds N沟道20V
电流, Id 连续1.9A
漏源电压Vds P沟道20V
在电阻RDS（上）0.069ohm
连续漏极电流 Id N沟道2.7A
连续漏极电流 Id P沟道1.9A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.08ohm
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道0.17ohm
晶体管封装类型SuperSOT
阈值栅源电压最大值900mV
针脚数6引脚
功耗 Pd960mW
耗散功率N沟道960mW
耗散功率P沟道960mW
工作温度最高值150°C
产品范围PowerTrench Series
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The FDC6327C is a dual N/P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. This device has been designed to offer exceptional power dissipation in a very small footprint for applications where the bigger more expensive packages are impractical. It is suitable for use with load switch and DC-to-DC converter applications.
- Low gate charge
- Fast switching speed
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- Small footprint
- Low profile
技术规格
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
20V
电流, Id 连续
1.9A
在电阻RDS（上）
0.069ohm
连续漏极电流 Id P沟道
1.9A
漏源通态电阻N沟道
0.08ohm
漏源导通电阻P沟道
0.17ohm
阈值栅源电压最大值
900mV
功耗 Pd
960mW
耗散功率P沟道
960mW
产品范围
PowerTrench Series
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
通道类型
N和P沟道
漏源电压Vds N沟道
20V
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
2.7A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
SuperSOT
针脚数
6引脚
耗散功率N沟道
960mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000049