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DMGD7N45SSD-13
双路场效应管, MOSFET, N通道, 450 V, 450 V, 500 mA, 500 mA, 4 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 100+ | CNY7.680 (CNY8.6784) |
| 500+ | CNY6.220 (CNY7.0286) |
| 1000+ | CNY5.780 (CNY6.5314) |
| 5000+ | CNY5.460 (CNY6.1698) |
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最低: 100
多件: 1
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMGD7N45SSD-13
库存编号3944077RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道450V
漏源电压, Vds450V
漏源电压Vds P沟道450V
电流, Id 连续500mA
连续漏极电流 Id N沟道500mA
在电阻RDS（上）3ohm
连续漏极电流 Id P沟道500mA
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道4ohm
漏源导通电阻P沟道-
Rds(on)测试电压10V
晶体管封装类型SOIC
阈值栅源电压最大值4.5V
功耗 Pd1.64W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道1.64W
耗散功率P沟道1.64W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压Vds N沟道
450V
漏源电压Vds P沟道
450V
连续漏极电流 Id N沟道
500mA
连续漏极电流 Id P沟道
500mA
漏源通态电阻N沟道
4ohm
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
4.5V
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
1.64W
产品范围
-
汽车质量标准
-
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
450V
电流, Id 连续
500mA
在电阻RDS（上）
3ohm
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
-
晶体管封装类型
SOIC
功耗 Pd
1.64W
耗散功率N沟道
1.64W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001