打印页面
DMGD7N45SSD-13
双路场效应管, MOSFET, N通道, 450 V, 450 V, 500 mA, 500 mA, 3 ohm
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMGD7N45SSD-13
库存编号3944077RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds450V
漏源电压Vds N沟道450V
电流, Id 连续500mA
漏源电压Vds P沟道450V
在电阻RDS（上）3ohm
连续漏极电流 Id N沟道500mA
连续漏极电流 Id P沟道500mA
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道3ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道3ohm
晶体管封装类型SOIC
阈值栅源电压最大值4.5V
针脚数8引脚
功耗 Pd1.64W
耗散功率N沟道1.64W
耗散功率P沟道1.64W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
450V
电流, Id 连续
500mA
在电阻RDS（上）
3ohm
连续漏极电流 Id P沟道
500mA
漏源通态电阻N沟道
3ohm
漏源导通电阻P沟道
3ohm
阈值栅源电压最大值
4.5V
功耗 Pd
1.64W
耗散功率P沟道
1.64W
产品范围
-
汽车质量标准
-
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
450V
漏源电压Vds P沟道
450V
连续漏极电流 Id N沟道
500mA
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
SOIC
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
1.64W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001