180A 单MOSFET:
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通道类型
漏源电压, Vds
电流, Id 连续
漏源接通状态电阻
晶体管封装类型
晶体管安装
Rds(on)测试电压
阈值栅源电压最大值
功率耗散
针脚数
工作温度最高值
产品范围
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
| 比较 | 包装规格 | 数量 | |||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
每个 | 1+ CNY141.760 (CNY160.1888)5+ CNY120.180 (CNY135.8034)10+ CNY98.600 (CNY111.418)50+ CNY93.580 (CNY105.7454)100+ CNY88.550 (CNY100.0615)更多价格信息... | 合计:CNY141.76 最少:1 / 多个:1 | N Channel | - | 180A | 0.0129ohm | - | Through Hole | - | - | 1.39kW | - | 150°C | GigaMOS Series | |||||
每个 | 1+ CNY24.540 (CNY27.7302)10+ CNY15.320 (CNY17.3116)25+ CNY14.840 (CNY16.7692)100+ CNY14.060 (CNY15.8878)250+ CNY13.090 (CNY14.7917)更多价格信息... | 合计:CNY24.54 最少:1 / 多个:1 | N通道 | 20V | 180A | 4000µohm | TO-220AB | 通孔 | 10V | 4V | 230W | 3引脚 | 175°C | - | |||||

