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IPB180N10S402ATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 180 A, 2500 µohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号IPB180N10S402ATMA1
库存编号2725842
产品范围OptiMOS T2
也称为IPB180N10S4-02, SP001057184
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技术数据表
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY45.690 (CNY51.6297) |
| 10+ | CNY31.610 (CNY35.7193) |
| 100+ | CNY22.850 (CNY25.8205) |
| 500+ | CNY22.780 (CNY25.7414) |
| 1000+ | CNY18.520 (CNY20.9276) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY45.69 (CNY51.63 含税)
品項附註
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPB180N10S402ATMA1
库存编号2725842
产品范围OptiMOS T2
也称为IPB180N10S4-02, SP001057184
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续180A
漏源接通状态电阻2500µohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.7V
功率耗散300W
针脚数7引脚
工作温度最高值175°C
产品范围OptiMOS T2
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
180A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
300W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
2500µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.7V
针脚数
7引脚
产品范围
OptiMOS T2
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
IPB180N10S402ATMA1 的替代之选
找到 4 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001361