组合存储器:

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DRAM类型
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DRAM密度
电源电压最小值
数据总线宽度
电源电压最大值
MCP类型
集成电路封装类型
NAND / NOR 密度
IC 外壳 / 封装
针脚数
二级总线宽度
额定电源电压
时钟频率最大值
芯片安装
工作温度最小值
工作温度最高值
包装
未使用筛选条件
0 筛选条件已选择
比较包装规格数量
4128170

RoHS

每个
1+
CNY157.820
(CNY178.3366)
10+
CNY150.980
(CNY170.6074)
25+
CNY137.960
(CNY155.8948)
50+
CNY135.980
(CNY153.6574)
100+
CNY133.930
(CNY151.3409)
DDR
HyperBus MCP存储器
64Mbit
1.7V
8位
1.95V
基于 NOR 的 MCP
FBGA
512Mbit
FBGA
24引脚
8位
1.7V
166MHz
表面安装
-40°C
105°C
4332205

RoHS

每个
1+
CNY142.910
(CNY161.4883)
10+
CNY136.060
(CNY153.7478)
25+
CNY133.520
(CNY150.8776)
50+
CNY130.980
(CNY148.0074)
100+
CNY128.430
(CNY145.1259)
DDR
-
64Mbit
-
8位
-
-
-
256Mbit
FBGA
24引脚
-
3V
100MHz
表面安装
-40°C
105°C
1-2 项,共 2 项
,共 1 页

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