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S71KS512SC0BHV000
八位, MCP, DDR, 166MHZ, 1.7V, FBGA-24
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 25+ | CNY132.400 (CNY149.612) |
| 50+ | CNY131.700 (CNY148.821) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号S71KS512SC0BHV000
库存编号4128170
也称为SP005674091, S71KS512SC0BHV000
技术数据表
芯片功能HyperBus MCP存储器
DRAM类型DDR
电源电压最小值1.7V
DRAM密度64Mbit
数据总线宽度8位
电源电压最大值1.95V
集成电路封装类型FBGA
MCP类型基于 NOR 的 MCP
NAND / NOR 密度512Mbit
IC 外壳 / 封装FBGA
针脚数24引脚
二级总线宽度8位
额定电源电压1.7V
时钟频率最大值166MHz
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值105°C
产品范围-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
S71KS512SC0BHV000是一款集成HyperFlash™和HyperRAM™存储器的MCP器件。
- 1.8V、512Mb HyperFlash与64Mbit HyperRAM
- HyperBus 接口，1.8V I/O，12 总线信号，差分时钟（CK/CK#）
- 芯片选择（CS#）、8 位数据总线（DQ[7:0]）
- 读写数据选通信号（RWDS），双向数据选通/屏蔽信号
- 所有交易开始时输出刷新延迟指示
- 读取交易期间输出读取数据选通信号
- 高性能双倍数据速率（DDR），每时钟周期传输两次数据
- 65纳米MirrorBit工艺HyperFlash器件技术
- 24-ball FBGA封装
- 工业增强型温度范围：-40°C至+105°C
技术规格
芯片功能
HyperBus MCP存储器
电源电压最小值
1.7V
数据总线宽度
8位
集成电路封装类型
FBGA
NAND / NOR 密度
512Mbit
针脚数
24引脚
额定电源电压
1.7V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
105°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
DRAM类型
DDR
DRAM密度
64Mbit
电源电压最大值
1.95V
MCP类型
基于 NOR 的 MCP
IC 外壳 / 封装
FBGA
二级总线宽度
8位
时钟频率最大值
166MHz
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.006133