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S71KS512SC0BHV000
八位, MCP, DDR, 166MHZ, 1.7V, FBGA-24
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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|---|---|
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| 10+ | CNY137.740 (CNY155.6462) |
| 25+ | CNY136.610 (CNY154.3693) |
| 50+ | CNY135.500 (CNY153.115) |
| 100+ | CNY134.380 (CNY151.8494) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号S71KS512SC0BHV000
库存编号4128170
也称为SP005674091, S71KS512SC0BHV000
技术数据表
芯片功能HyperBus MCP存储器
DRAM类型DDR
电源电压最小值1.7V
DRAM密度64Mbit
电源电压最大值1.95V
数据总线宽度8位
集成电路封装类型FBGA
MCP类型基于 NOR 的 MCP
NAND / NOR 密度512Mbit
IC 外壳 / 封装FBGA
针脚数24引脚
二级总线宽度8位
额定电源电压1.7V
时钟频率最大值166MHz
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值105°C
产品范围-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
S71KS512SC0BHV000 is an MCP device that incorporates both HyperFlash™ and HyperRAM™ memories.
- 1.8V, 512Mb HyperFlash and 64Mbit HyperRAM
- HyperBus interface, 1.8V I/O, 12 bus signals, differential clock (CK/CK#)
- Chip select (CS#), 8-bit data bus (DQ[7:0])
- Read-write data strobe (RWDS), bidirectional data strobe/mask
- Output at the start of all transactions to indicate refresh latency
- Output during read transactions as read data strobe
- High performance, double-data rate (DDR), two data transfers per clock
- 65nm MirrorBit process HyperFlash device technology
- 24-ball FBGA package
- Industrial Plus temperature range from -40°C to +105°C
技术规格
芯片功能
HyperBus MCP存储器
电源电压最小值
1.7V
电源电压最大值
1.95V
集成电路封装类型
FBGA
NAND / NOR 密度
512Mbit
针脚数
24引脚
额定电源电压
1.7V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
105°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
DRAM类型
DDR
DRAM密度
64Mbit
数据总线宽度
8位
MCP类型
基于 NOR 的 MCP
IC 外壳 / 封装
FBGA
二级总线宽度
8位
时钟频率最大值
166MHz
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.006133