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S71KL256SC0BHB000
多芯片封装，DDR，8 位，64 Mbit DRAM，100 MHz，3V，-40°C 至 105°C，FBGA-24
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY145.660 (CNY164.5958) |
| 10+ | CNY135.730 (CNY153.3749) |
| 25+ | CNY131.700 (CNY148.821) |
| 50+ | CNY128.710 (CNY145.4423) |
| 100+ | CNY125.800 (CNY142.154) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号S71KL256SC0BHB000
库存编号4332205
技术数据表
DRAM类型DDR
DRAM密度64Mbit
数据总线宽度8位
MCP类型-
NAND / NOR 密度256Mbit
IC 外壳 / 封装FBGA
针脚数24引脚
二级总线宽度-
额定电源电压3V
时钟频率最大值100MHz
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值105°C
产品范围-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
S71KL256SC0BHB000 is a 3.0V-only Cypress HyperBus MCP. A HyperBus MCP reduces board space and Printed Circuit Board (PCB) signal routing congestion while also maintaining or improving signal integrity over separately packaged memory configurations.
- 256Mb HyperFlash density, 65nm MirrorBit process technology
- 64Mb HyperRAM density
- HyperBus Interface, 1.8V I/O, 12 bus signals, differential clock (CK/CK#)
- 3.0V I/O, 11 bus signals, single ended clock (CK), chip select (CS#), 8-bit data bus (DQ[7:0])
- Bidirectional data strobe/mask, output at the start of all transactions to indicate refresh latency
- Reset, INT# output to generate external interrupt, busy to ready transition
- RSTO# Output to generate system level Power-On Reset (POR), user configurable RSTO# Low period
- 24-ball FBGA package
- Temperature range from -40°C to +105°C (automotive, AEC-Q100 Grade 2)
技术规格
DRAM类型
DDR
数据总线宽度
8位
NAND / NOR 密度
256Mbit
针脚数
24引脚
额定电源电压
3V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
105°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
DRAM密度
64Mbit
MCP类型
-
IC 外壳 / 封装
FBGA
二级总线宽度
-
时钟频率最大值
100MHz
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423290
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001