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2N7002DW-7-F
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 230 mA, 13.5 ohm
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号2N7002DW-7-F
库存编号1713824RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续115mA
漏源电压Vds P沟道-
在电阻RDS（上）13.5ohm
连续漏极电流 Id N沟道230mA
连续漏极电流 Id P沟道-
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道13.5ohm
漏源导通电阻P沟道-
Rds(on)测试电压10V
晶体管封装类型SOT-363
阈值栅源电压最大值2V
针脚数6引脚
功耗 Pd200mW
耗散功率N沟道200mW
耗散功率P沟道-
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
2N7002DW-7-F是一款双N沟道增强型MOSFET, 设计具有低导通电阻RDS (ON), 同时保持卓越的开关性能. 该产品可用作为高效电源管理应用的理想选择.
- 低导通电阻
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关性能
- 低输入/输出泄漏
- 超小型表面安装封装
- 无卤素
- UL94V-0阻燃等级
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压Vds N沟道
60V
电流, Id 连续
115mA
在电阻RDS（上）
13.5ohm
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源通态电阻N沟道
13.5ohm
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
2V
功耗 Pd
200mW
耗散功率P沟道
-
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
60V
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id N沟道
230mA
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
-
晶体管封装类型
SOT-363
针脚数
6引脚
耗散功率N沟道
200mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
-
2N7002DW-7-F 的替代之选
找到 3 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000006