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DMC2038LVT
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 20 V, 20 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.027 ohm
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMC2038LVT
库存编号2061516
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道3.7A
连续漏极电流 Id P沟道3.7A
漏源通态电阻N沟道0.027ohm
漏源导通电阻P沟道0.027ohm
晶体管封装类型TSOT-26
针脚数6引脚
耗散功率N沟道1.13W
耗散功率P沟道1.13W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The DMC2038LVT is a N/P-channel complementary Pair enhancement-mode MOSFET been designed to minimize the ON-state resistance RDS (ON) and yet maintain superior switching performance. It is ideal for DC-to-DC converters and backlighting applications.
- Low ON-resistance
- Low input capacitance
- Fast switching speed
- Low input/output leakage
- Halogen-free
- UL94V-0 Flammability rating
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
3.7A
漏源导通电阻P沟道
0.027ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
1.13W
产品范围
-
MSL
-
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
3.7A
漏源通态电阻N沟道
0.027ohm
晶体管封装类型
TSOT-26
耗散功率N沟道
1.13W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000181