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DMC2038LVT
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 20 V, 20 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.027 ohm
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMC2038LVT
库存编号2061516RL
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
晶体管极性互补N与P沟道
漏源电压, Vds20V
漏源电压Vds N沟道20V
电流, Id 连续3.7A
漏源电压Vds P沟道20V
在电阻RDS（上）0.027ohm
连续漏极电流 Id N沟道3.7A
连续漏极电流 Id P沟道3.7A
漏源通态电阻N沟道0.027ohm
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道0.027ohm
晶体管封装类型TSOT-26
阈值栅源电压最大值400mV
功耗 Pd1.13W
针脚数6引脚
耗散功率N沟道1.13W
耗散功率P沟道1.13W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The DMC2038LVT is a N/P-channel complementary Pair enhancement-mode MOSFET been designed to minimize the ON-state resistance RDS (ON) and yet maintain superior switching performance. It is ideal for DC-to-DC converters and backlighting applications.
- Low ON-resistance
- Low input capacitance
- Fast switching speed
- Low input/output leakage
- Halogen-free
- UL94V-0 Flammability rating
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
20V
电流, Id 连续
3.7A
在电阻RDS（上）
0.027ohm
连续漏极电流 Id P沟道
3.7A
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.027ohm
阈值栅源电压最大值
400mV
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
1.13W
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道
20V
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
3.7A
漏源通态电阻N沟道
0.027ohm
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
TSOT-26
功耗 Pd
1.13W
耗散功率N沟道
1.13W
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000181