打印页面
DMN2008LFU-7
双路场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 20 V, 14.5 A, 14.5 A, 0.0047 ohm
4,459 有货
需要更多？
120 件可于下一个工作日送达(Shanghai 库存)
4339 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 100+ | CNY2.880 (CNY3.2544) |
| 500+ | CNY2.400 (CNY2.712) |
| 1000+ | CNY1.860 (CNY2.1018) |
| 5000+ | CNY1.840 (CNY2.0792) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 100
多件: 1
CNY288.00 (CNY325.44 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMN2008LFU-7
库存编号3944090RL
技术数据表
通道类型N通道
晶体管极性N沟道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续14.5A
漏源电压Vds P沟道20V
在电阻RDS（上）0.0047ohm
连续漏极电流 Id N沟道14.5A
连续漏极电流 Id P沟道14.5A
漏源通态电阻N沟道0.0047ohm
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道0.0047ohm
阈值栅源电压最大值1.5V
晶体管封装类型U-DFN2030
针脚数6引脚
功耗 Pd1.7W
耗散功率N沟道1.7W
耗散功率P沟道1.7W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
20V
电流, Id 连续
14.5A
在电阻RDS（上）
0.0047ohm
连续漏极电流 Id P沟道
14.5A
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.0047ohm
晶体管封装类型
U-DFN2030
功耗 Pd
1.7W
耗散功率P沟道
1.7W
产品范围
-
汽车质量标准
-
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
20V
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
14.5A
漏源通态电阻N沟道
0.0047ohm
Rds(on)测试电压
4.5V
阈值栅源电压最大值
1.5V
针脚数
6引脚
耗散功率N沟道
1.7W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001