DMP10H400SE-13

DMP10H400SE-13 是一款 P 沟道增强型 MOSFET。这种 MOSFET 设计用于最大限度地减小导通电阻并保持出色的开关性能，因此非常适合高效率电源管理应用。典型应用包括电机控制、DC-DC 转换器、电源管理功能和不间断电源。

• 低栅极驱动、低输入电容、快速开关速度
• 在TA = +25°C 时，漏极至源极电压为 -100V
• 在TA = +25°C 时，栅极至源极电压为 ±20V
• 在TC = +25°C、VGS = -10V、稳态时，漏极连续电流为 -6A
• 在TA = +25°C 时，脉冲漏极电流（380µs 脉冲，占空比 = 1%）为 -10A
• 在TA = +25°C 时，总功率耗散为 2W
• 在VGS = -10V、ID = -5A、TA = +25°C 时，静态漏极-源极导通电阻最大为 250 mohm
• 在TA = +25°C 时，最大体二极管正向电流为 -1.9A
• SOT223 外壳
• 工作和存储温度范围为 -55 至 +150°C

警告

市场对该产品的需求导致交货期延长。交货日期可能会有波动。产品不享受折扣。