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AUIRF7341QTR
双路场效应管, MOSFET, N通道, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号AUIRF7341QTR
库存编号2725790RL
产品范围HEXFET Series
也称为SP001515768
技术数据表
通道类型N通道
晶体管极性N沟道
漏源电压Vds N沟道55V
漏源电压, Vds55V
漏源电压Vds P沟道55V
电流, Id 连续5.1A
连续漏极电流 Id N沟道5.1A
在电阻RDS（上）0.043ohm
连续漏极电流 Id P沟道5.1A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.043ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.043ohm
晶体管封装类型SOIC
阈值栅源电压最大值3V
针脚数8引脚
功耗 Pd2.4W
耗散功率N沟道2.4W
耗散功率P沟道2.4W
工作温度最高值175°C
产品范围HEXFET Series
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (08-Jul-2021)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
55V
漏源电压Vds P沟道
55V
连续漏极电流 Id N沟道
5.1A
连续漏极电流 Id P沟道
5.1A
漏源通态电阻N沟道
0.043ohm
漏源导通电阻P沟道
0.043ohm
阈值栅源电压最大值
3V
功耗 Pd
2.4W
耗散功率P沟道
2.4W
产品范围
HEXFET Series
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (08-Jul-2021)
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
55V
电流, Id 连续
5.1A
在电阻RDS（上）
0.043ohm
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
SOIC
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
2.4W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (08-Jul-2021)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000176