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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY12.630 (CNY14.2719) |
| 50+ | CNY9.720 (CNY10.9836) |
| 250+ | CNY8.000 (CNY9.040) |
| 1000+ | CNY7.250 (CNY8.1925) |
| 3000+ | CNY6.800 (CNY7.684) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 5
多件: 5
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产品概述
BSC030N08NS5ATMA1 is an OptiMOS™5 power transistor MOSFET.
- N沟道Optima ™ 5功率晶体管
- 针对高性能SMPS优化
- 100%经过雪崩测试
- 优秀的热阻
- 目标应用符合JEDEC标准
- Continuous drain current is 161A max (VGS=10V, TC=25°C)
- Output charge is 73nC typ (VDD=40V, VGS=0V, TC=25°C)
- Gate charge total is 61nC typ (VDD=40V, ID=50A, VGS=0 to 10V, TC=25°C)
- Power dissipation is 139W max (TC=25°C)
- PG-TDSON-8 package, operating temperature range from -55 to 150°C
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
100A
晶体管封装类型
TDSON
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
139W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
80V
漏源接通状态电阻
0.003ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
8引脚
产品范围
OptiMOS 5
MSL
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
BSC030N08NS5ATMA1 的替代之选
找到 4 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000907