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CY14B101NA-ZS25XI
非易失性SRAM (NVSRAM), 1Mbit, 64K x 16位, 25ns读/写, 并行, 2.7V至3.6V, TSOP-II-44
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号CY14B101NA-ZS25XI
库存编号2772928
也称为SP005638199, CY14B101NA-ZS25XI
技术数据表
存储密度1Mbit
记忆配置64K x 16位
读取访问时间25ns
写入访问时间25ns
电源电压最小值2.7V
电源电压最大值3.6V
IC 外壳 / 封装TSOP-II
针脚数44引脚
接口并行口
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
CY14B101NA-ZS25XI是一款高速静态随机存取存储器（SRAM），每个存储单元均内置非易失性元件。该存储器组织为64K个16位字节单元。其嵌入式非易失性元件采用量子阱技术，打造出全球最可靠的非易失性存储器。 该SRAM支持无限次读写循环，同时独立的非易失性数据存储于高可靠性的量子阱单元中。断电时数据会自动从SRAM传输至非易失性元件（存储操作）；上电时数据则从非易失性存储器恢复至SRAM（回调操作）。
- 仅需小型电容即可实现断电时自动存储
- 由软件或上电触发的SRAM回放
- 无限读取、写入和RECALL循环
- 100万次存储循环至量子阱
- 20年数据保持期，25纳秒响应速度
- 电源电压范围：2.7V至3.6V
- VCC待机电流为5mA（当CE为低电平且<gt/>(VCC – 0.2V)、VIN<lt/>0.2V或<gt/>(VCC – 0.2V)时）
- 平均VCC电流为70mA（tRC=25ns时）
- 44 引脚 TSOP II 封装
- 工业级工作温度范围：-40°C至+85°C
技术规格
存储密度
1Mbit
读取访问时间
25ns
电源电压最小值
2.7V
IC 外壳 / 封装
TSOP-II
接口
并行口
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
记忆配置
64K x 16位
写入访问时间
25ns
电源电压最大值
3.6V
针脚数
44引脚
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423245
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.009855