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FM24C64B-GTR
铁电存储器(FRAM), 64 Kbit(8K x 8)I2C, 1 MHz, 4.5 V至5.5 V电源, SOIC-8
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY24.870 (CNY28.1031) |
| 10+ | CNY23.280 (CNY26.3064) |
| 25+ | CNY22.720 (CNY25.6736) |
| 50+ | CNY22.160 (CNY25.0408) |
| 100+ | CNY21.680 (CNY24.4984) |
| 250+ | CNY21.040 (CNY23.7752) |
| 500+ | CNY20.640 (CNY23.3232) |
| 1000+ | CNY20.160 (CNY22.7808) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号FM24C64B-GTR
库存编号2772910
也称为SP005662415, FM24C64B-GTR
技术数据表
存储密度64Kbit
记忆配置8K x 8位
接口I2C
时钟频率最大值1MHz
电源电压最小值4.5V
电源电压最大值5.5V
IC 外壳 / 封装SOIC
针脚数8引脚
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
FM24C64B-GTR 是一款 64-Kbit（8K × 8）串行（I²C）F-RAM。它是一款 64-Kbit 非易失性存储器，采用了先进的铁电工艺。铁电随机存取存储器或 F-RAM 是非易失性存储器，其读写功能与 RAM 相似。它能提供 151 年的可靠数据保留，同时消除了 EEPROM 和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与 EEPROM 不同，FM24C64B 以总线速度执行写操作。不会产生写入延迟。每个字节成功传输到器件后，数据立即写入存储器阵列。无需进行数据轮询，即可开始下一个总线周期。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品具有很强的写入耐用性。应用包括通用电机驱动器--变频和变压、LED 灯条和标牌。
- 64Kbit 铁电随机存取存储器 (F-RAM) 逻辑结构为 8 K × 8
- 高耐久性 100 万亿次读/写，数据保存 151 年
- No Delay™ 写入，先进的高可靠性铁电工艺
- 频率高达 1MHz，直接硬件替代串行 (I²C) EEPROM
- 支持 100KHz 和 400KHz 的传统时序
- 待机电流为 4µA（典型值，SCL=SDA=VDD）
- 电压工作范围为 4.5V 至 5.5V
- 输出引脚电容 (SDA) 最大为 8pF（TA=25°C，f=1 MHz，VDD=VDD（典型值）
- 热阻（结点至环境）为 147°C/W
- 8 引脚 SOIC 封装，工业工作温度范围为 -40 至 +85°C
技术规格
存储密度
64Kbit
接口
I2C
电源电压最小值
4.5V
IC 外壳 / 封装
SOIC
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
记忆配置
8K x 8位
时钟频率最大值
1MHz
电源电压最大值
5.5V
针脚数
8引脚
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
FM24C64B-GTR 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423290
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.02268