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IPB036N12N3GATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 120 V, 180 A, 0.0029 ohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPB036N12N3GATMA1
库存编号2212819
也称为IPB036N12N3 G, SP000675204
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds120V
电流, Id 连续180A
漏源接通状态电阻0.0029ohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散300W
针脚数7引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
IPB036N12N3 G是一款OptiMOS™ N沟道功率MOSFET，同时具有业界最低的导通电阻和最快的开关行为，可以在广泛的应用中实现出色的性能。120V OptiMOS™技术为优化解决方案提供了新的可能性。
- 优秀的开关性能
- 业界最低的RDS (ON)
- 极低的Qg与Qgd
- 优秀的栅极电荷 x RDS (ON)产品 (FOM)
- MSL1 rated 2
- 环保型
- 高效能
- 高功率密度
- 需要较少的并联
- 占用极小的电路板空间
- 产品易于设计
- 目标应用符合JEDE标准
- 无卤素, 绿色设备
- 适用于高频开关和同步整流应用
- 正常电平
- 100%经过雪崩测试
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
180A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
300W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
120V
漏源接通状态电阻
0.0029ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
7引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00181