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IPG20N06S4L26ATMA1
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.021 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPG20N06S4L26ATMA1
库存编号2480844
也称为IPG20N06S4L-26, SP000705588
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道20A
连续漏极电流 Id P沟道20A
漏源通态电阻N沟道0.021ohm
漏源导通电阻P沟道0.021ohm
晶体管封装类型TDSON
针脚数8引脚
耗散功率N沟道33W
耗散功率P沟道33W
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
IPG20N06S4L-26是一款OptiMOS™-T2双N沟道增强模式功率晶体管，适用于燃油直喷、ABS阀、电磁铁控制和负载开关应用。
- 逻辑电平
- 绿色设备
- 100%经过雪崩测试
- 较大的源头引线框架连接，用于电线粘合
- 具有与DPAK相同的热性能和电性能，具有相同的芯片尺寸
- 外露垫提供了良好的热传导（因芯片尺寸而异）
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id P沟道
20A
漏源导通电阻P沟道
0.021ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
33W
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
20A
漏源通态电阻N沟道
0.021ohm
晶体管封装类型
TDSON
耗散功率N沟道
33W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001814