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IPG20N06S4L26ATMA1
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.021 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPG20N06S4L26ATMA1
库存编号2480844RL
也称为IPG20N06S4L-26, SP000705588
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
漏源电压Vds N沟道60V
电流, Id 连续20A
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道20A
在电阻RDS（上）0.021ohm
连续漏极电流 Id P沟道20A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.021ohm
漏源导通电阻P沟道0.021ohm
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.7V
晶体管封装类型TDSON
功耗 Pd33W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道33W
耗散功率P沟道33W
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
IPG20N06S4L-26是一款OptiMOS™-T2双N沟道增强模式功率晶体管，适用于燃油直喷、ABS阀、电磁铁控制和负载开关应用。
- 逻辑电平
- 绿色设备
- 100%经过雪崩测试
- 较大的源头引线框架连接，用于电线粘合
- 具有与DPAK相同的热性能和电性能，具有相同的芯片尺寸
- 外露垫提供了良好的热传导（因芯片尺寸而异）
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
60V
电流, Id 连续
20A
连续漏极电流 Id N沟道
20A
连续漏极电流 Id P沟道
20A
漏源通态电阻N沟道
0.021ohm
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
TDSON
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
33W
产品范围
-
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
60V
漏源电压Vds P沟道
60V
在电阻RDS（上）
0.021ohm
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.021ohm
阈值栅源电压最大值
1.7V
功耗 Pd
33W
耗散功率N沟道
33W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
MSL
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001814