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IPP052NE7N3GXKSA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 75 V, 80 A, 5200 µohm, TO-220, 通孔
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号IPP052NE7N3GXKSA1
库存编号2480849
产品范围OptiMOS 3 Series
也称为IPP052NE7N3 G, SP000641726
技术数据表
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924 件可于下一个工作日送达(Shanghai 库存)
8166 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
该库存量售罄后，将不再备货
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY14.430 (CNY16.3059) |
| 10+ | CNY9.450 (CNY10.6785) |
| 100+ | CNY7.110 (CNY8.0343) |
| 500+ | CNY6.010 (CNY6.7913) |
| 1000+ | CNY5.900 (CNY6.667) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY14.43 (CNY16.31 含税)
品項附註
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPP052NE7N3GXKSA1
库存编号2480849
产品范围OptiMOS 3 Series
也称为IPP052NE7N3 G, SP000641726
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds75V
电流, Id 连续80A
漏源接通状态电阻5200µohm
晶体管封装类型TO-220
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3.8V
功率耗散150W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围OptiMOS 3 Series
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
IPP052NE7N3GXKSA1 的替代之选
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产品概述
- Opti MOS™3 power transistor
- Optimized technology for synchronous rectification
- Ideal for high frequency switching and DC/DC converter
- Excellent gate charge x RDC(on) product (FOM)
- Very low on resistance RDS(on), N channel, normal level
- 100% avalanche tested, qualified according to JEDEC for target application
- 75V minimum drain source breakdown voltage (VGS=0V, 1D=1mA, 25°C)
- 5.2mohm maximum drain source on state resistance (VGSS=10V, 1D=80A, 25°C)
- 2.2ohm gate resistance
- PG-TO220-3 package, operating temperature range from -55 to 175°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
80A
晶体管封装类型
TO-220
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
150W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
75V
漏源接通状态电阻
5200µohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
3.8V
针脚数
3引脚
产品范围
OptiMOS 3 Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002008