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IRFH4253DTRPBF
双路场效应管, MOSFET, N沟道+肖特基, 25 V, 145 A, 0.0011 ohm
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRFH4253DTRPBF
库存编号2577150RL
也称为SP001556246
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N沟道+肖特基
漏源电压, Vds25V
漏源电压Vds N沟道25V
电流, Id 连续145A
漏源电压Vds P沟道-
在电阻RDS（上）900µohm
连续漏极电流 Id N沟道145A
连续漏极电流 Id P沟道-
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.0011ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型QFN
阈值栅源电压最大值1.6V
针脚数10引脚
功耗 Pd50W
耗散功率N沟道50W
耗散功率P沟道-
工作温度最高值150°C
产品范围FastIRFET HEXFET Series
合规-
汽车质量标准-
产品概述
IRFH4253DTRPBF is a HEXFET® Power MOSFET. Application includes control and synchronous MOSFETs for synchronous buck converters.
- Control and synchronous MOSFETs in one package, increased power density
- Low charge control MOSFET (10nC typical), lower switching losses
- Low RDSON synchronous MOSFET (<lt/>1.45mohm), lower conduction losses
- Intrinsic schottky diode with low forward voltage on Q2, lower switching losses
- Environmentally friendlier, industrial qualification, increased reliability
- Drain-to-source breakdown voltage is 25V (typ, Q1, Q2, VGS = 0V, ID = 250µA/1.0mA)
- Breakdown voltage temp coefficient is 22mV/°C (typ, Q1, Q2, reference to 25°C, ID = 1.0mA)
- Gate threshold voltage is 1.6V (typ, Q1: VDS = VGS, ID = 35µA, Q2: VDS = VGS, ID = 100µA)
- Drain-to-source leakage current is 1.0µA (typ, VDS = 20V, VGS = 0V, TJ = 25°C)
- Dual PQFN package, operating junction and storage temperature range from -55 to + 150°C
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
25V
电流, Id 连续
145A
在电阻RDS（上）
900µohm
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源通态电阻N沟道
0.0011ohm
漏源导通电阻P沟道
-
阈值栅源电压最大值
1.6V
功耗 Pd
50W
耗散功率P沟道
-
产品范围
FastIRFET HEXFET Series
汽车质量标准
-
通道类型
N沟道+肖特基
漏源电压Vds N沟道
25V
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id N沟道
145A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
QFN
针脚数
10引脚
耗散功率N沟道
50W
工作温度最高值
150°C
合规
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001