IRL40T209ATMA1

IRL40T209ATMA1 是 IRL40T209 StrongIRFET™ IR MOSFET。潜在应用包括有刷电机驱动应用、BLDC 电机驱动应用、电池供电电路、半桥和全桥拓扑结构、同步整流器应用、谐振模式电源、OR-ing 和冗余电源开关、DC/DC 和 AC/DC 转换器以及 DC/AC 逆变器。

• 改进了栅极和雪崩坚固性
• 完全特性化的电容和雪崩 SOA
• 提高了 ID 额定值
• 连续耗尽电流为 586A（最大值，VGS=10V，TC=25°C（硅限制）
• 脉冲漏极电流为 1200A（TC = 25°C），栅源电压范围为 -20 至 20V（TC = 25°C）
• 功率耗散为 500W（TC = 25°C）
• 关断延迟时间为 190ns（典型值，VDD=20V，VGS=4.5V，ID=30A，RG，ext=2.7 ohm）
• 上升时间为 230ns（典型值，VDD=20V，VGS=4.5V，ID=30A，RG，ext=2.7ohm）
• 开关电流为 100nC（VDD=20V，ID=100A，VGS=0 至 4.5V）
• 工作和存储温度范围为 -55 至 175°C，PG-HSOF-8 封装

警告

该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。