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S25FL128SAGMFIR00
闪存, MirrorBit Eclipse架构, 串行NOR, 128 Mbit, 16M x 8位, SPI, WSOIC, 16 引脚
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY35.390 (CNY39.9907) |
| 10+ | CNY32.920 (CNY37.1996) |
| 25+ | CNY32.030 (CNY36.1939) |
| 50+ | CNY31.340 (CNY35.4142) |
| 100+ | CNY30.150 (CNY34.0695) |
| 250+ | CNY29.370 (CNY33.1881) |
| 500+ | CNY28.570 (CNY32.2841) |
| 1000+ | CNY28.270 (CNY31.9451) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
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品項附註
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号S25FL128SAGMFIR00
库存编号2767982
也称为SP005660113, S25FL128SAGMFIR00
技术数据表
闪存类型串行NOR
存储密度128Mbit
记忆配置16M x 8位
接口SPI
IC 外壳 / 封装WSOIC
针脚数16引脚
时钟频率最大值133MHz
存取时间-
电源电压最小值2.7V
电源电压最大值3.6V
额定电源电压3V
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围3V Serial NOR Flash Memories
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
S25FL128SAGMFIR00 is a flash non-volatile memory IC in a 16 pin SOIC package. It uses MIRRORBIT™ technology - that stores two data bits in each memory array transistor, eclipse architecture - that dramatically improves program and erase performance and 65nm process lithography.
- 128MBit density, 52MByte/s interface bandwidth
- Quad SPI interfaces
- 133MHz frequency
- Operating temperature range from -40°C to 85°C
- 100,000 minimum program-erase cycles
- 20 year minimum data retention
- Core supply voltage range from 2.7V to 3.6V
技术规格
闪存类型
串行NOR
记忆配置
16M x 8位
IC 外壳 / 封装
WSOIC
时钟频率最大值
133MHz
电源电压最小值
2.7V
额定电源电压
3V
工作温度最小值
-40°C
产品范围
3V Serial NOR Flash Memories
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
存储密度
128Mbit
接口
SPI
针脚数
16引脚
存取时间
-
电源电压最大值
3.6V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
技术文档 (1)
S25FL128SAGMFIR00 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423261
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002177