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产品信息
制造商产品编号IS61LV5128AL-10TLI
库存编号1077676
技术数据表
SRAM类型异步SRAM
存储密度4Mbit
记忆配置512K x 8位
IC 外壳 / 封装TSOP
针脚数44引脚
电源电压最小值3.135V
电源电压最大值3.63V
额定电源电压3.3V
时钟频率最大值-
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (23-Jan-2024)
产品概述
The IS61LV5128AL-10TLI is a 512K x 8 very high-speed low power high-speed CMOS Static Random Access Memory (SRAM) organized by 524288-word by 8-bit. The IS61LV5128AL is fabricated using ISSI's high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields higher performance and low power consumption devices. When CE is HIGH (deselected), the device assumes a standby mode at which the power dissipation can be reduced down to 250µW typical with CMOS input levels. The IS61LV5128AL operates from a single 3.3V power supply and all inputs are TTL-compatible.
- High-speed access times - 10ns
- High-performance, low-power CMOS process
- Multiple center power and ground pins for greater noise immunity
- Easy memory expansion with CE and OE
- CE Power-down
- Fully static operation: no clock or refresh required
- TTL compatible inputs and outputs
- Single 3.3V power supply
技术规格
SRAM类型
异步SRAM
记忆配置
512K x 8位
针脚数
44引脚
电源电压最大值
3.63V
时钟频率最大值
-
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
存储密度
4Mbit
IC 外壳 / 封装
TSOP
电源电压最小值
3.135V
额定电源电压
3.3V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
技术文档 (1)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85423245
US ECCN:3A991.b.1.b.2
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000454