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产品信息
制造商产品编号IS61WV10248BLL-10TLI
库存编号2253838
技术数据表
SRAM类型异步SRAM
存储密度8Mbit
记忆配置1M x 8bit
IC 外壳 / 封装TSOP-II
针脚数44引脚
电源电压最小值2.4V
电源电压最大值3.6V
额定电源电压3.3V
时钟频率最大值-
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
MSLMSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (23-Jan-2024)
产品概述
The IS61WV10248BLL-10TLI is a 1M x 8-bit high-speed low power CMOS Static Random Access Memory (SRAM) fabricated using ISSI's high performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields higher performance and low power consumption devices. When CE is HIGH (deselected), the device assumes a standby mode at which the power dissipation can be reduced down with CMOS input levels. It operates from a single power supply and all inputs are TTL-compatible.
- High-speed access time - 10ns
- High-performance, low-power CMOS process
- Multiple center power and ground pins for greater noise immunity
- Easy memory expansion with CE and OE
- CE Power-down
- Fully static operation - no clock or refresh required
技术规格
SRAM类型
异步SRAM
记忆配置
1M x 8bit
针脚数
44引脚
电源电压最大值
3.6V
时钟频率最大值
-
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
存储密度
8Mbit
IC 外壳 / 封装
TSOP-II
电源电压最小值
2.4V
额定电源电压
3.3V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
MSL
MSL 3 - 168小时
技术文档 (1)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85423245
US ECCN:3A991.b.2.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.008391