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产品信息
制造商产品编号IS62WV5128BLL-55HLI
库存编号1869971
技术数据表
SRAM类型异步SRAM
存储密度4Mbit
记忆配置512K x 8位
IC 外壳 / 封装TSOP-I
针脚数32引脚
电源电压最小值2.5V
电源电压最大值3.6V
额定电源电压3.3V
时钟频率最大值-
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 5 - 48小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (23-Jan-2024)
产品概述
The IS62WV5128BLL-55HLI is a 512K x 16-bit ultra low power high-speed CMOS Static Random Access Memory (SRAM) fabricated using ISSI's high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields high performance and low power consumption devices. When CS1 is HIGH (deselected), the device assumes a standby mode at which the power dissipation can be reduced down with CMOS input levels. Easy memory expansion is provided by using chip enable and output enable inputs. The active LOW write enable (WE) controls both writing and reading of the memory.
- High-speed access time - 55ns
- CMOS low power operation
- TTL compatible interface levels
- Single power supply
- Fully static operation - no clock or refresh required
- 3-State outputs
技术规格
SRAM类型
异步SRAM
记忆配置
512K x 8位
针脚数
32引脚
电源电压最大值
3.6V
时钟频率最大值
-
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
存储密度
4Mbit
IC 外壳 / 封装
TSOP-I
电源电压最小值
2.5V
额定电源电压
3.3V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
MSL 5 - 48小时
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85423245
US ECCN:3A991.b.2.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000454