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IXFN180N15P
晶体管, MOSFET, N通道, 150 A, 150 V, 0.011 ohm, 10 V, 5 V
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| 10+ | CNY181.350 (CNY204.9255) |
| 50+ | CNY168.760 (CNY190.6988) |
| 100+ | CNY159.060 (CNY179.7378) |
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产品信息
制造商产品编号IXFN180N15P
库存编号1427321
技术数据表
通道类型N通道
电流, Id 连续150A
漏源电压, Vds150V
漏源接通状态电阻0.011ohm
Rds(on)测试电压10V
晶体管封装类型ISOTOP
晶体管安装模块
阈值栅源电压最大值5V
功率耗散680W
工作温度最高值175°C
针脚数4引脚
产品范围-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (17-Jan-2023)
产品概述
The IXFN180N15P is a 150V N-channel Enhancement Mode PolarHV™ Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™). The IXYS most popular power MOSFET (HiPerFET™) is for both hard switching and resonant mode applications. This MOSFET offers low gate charge and excellent ruggedness with a fast intrinsic diode.
- Encapsulating epoxy meets UL94V-0 flammability
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Fast recovery diode
- Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
- Low inductance offers easy to drive and protect
- High power density
- Easy to mount
- Space-saving s
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
150V
Rds(on)测试电压
10V
晶体管安装
模块
功率耗散
680W
针脚数
4引脚
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Jan-2023)
电流, Id 连续
150A
漏源接通状态电阻
0.011ohm
晶体管封装类型
ISOTOP
阈值栅源电压最大值
5V
工作温度最高值
175°C
产品范围
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.040823