MOSFET模块
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| 制造商产品编号 | 库存编号 | 说明 / 制造商 | 库存数 | 如下物品价格 |
单价（含增值税）
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数量 | 晶体管极性 | 电流, Id 连续 | 漏源电压, Vds | 在电阻RDS（上） | 电压 @ Rds测量 | 阈值电压 Vgs | 功耗 Pd | 工作温度最高值 | 产品范围 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMHT10H032LFJ-13
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3589313 |
晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 100 V, 0.025 ohm, 10 V, 2.5 V DIODES INC.
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单件（切割供应） |
1+ CNY14.04 (CNY15.87) 10+ CNY11.01 (CNY12.44) 100+ CNY8.77 (CNY9.91) 250+ CNY7.34 (CNY8.29) 500+ CNY6.36 (CNY7.19) 1000+ CNY5.70 (CNY6.44) 更多价格信息... |
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1
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N沟道 | 6A | 100V | 0.025ohm | 10V | 2.5V | 900mW | 150°C | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SK85MH10T
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1568686 |
晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 80 A, 100 V, 0.0075 ohm, 10 V, 3.3 V SEMIKRON
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1+ CNY390.36 (CNY441.11) |
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N沟道 | 80A | 100V | 0.0075ohm | 10V | 3.3V | - | 150°C | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NXV04V120DB1
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3367876 |
晶体管, MOSFET, AEC-Q101, Six N Channel, 160 A, 40 V, 850 µohm, 10 V, 4 V ON SEMICONDUCTOR
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每个 |
1+ CNY161.23 (CNY182.19) 10+ CNY148.70 (CNY168.03) 25+ CNY142.02 (CNY160.48) 100+ CNY137.92 (CNY155.85) |
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1
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Six N Channel | 160A | 40V | 850µohm | 10V | 4V | - | 175°C | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NXV65HR82DZ1
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3677749 |
晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V ON SEMICONDUCTOR
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1+ CNY193.82 (CNY219.02) 5+ CNY178.55 (CNY201.76) 10+ CNY168.73 (CNY190.66) 50+ CNY153.23 (CNY173.15) 100+ CNY145.99 (CNY164.97) 250+ CNY139.38 (CNY157.50) 更多价格信息... |
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1
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N沟道 | 26A | 650V | 0.073ohm | 10V | 5V | 126W | 150°C | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NXV65HR82DS2
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3677748 |
晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V ON SEMICONDUCTOR
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1+ CNY181.67 (CNY205.29) 5+ CNY167.34 (CNY189.09) |
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N沟道 | 26A | 650V | 0.073ohm | 10V | 5V | 126W | 150°C | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NXV65HR82DS1
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3677747 |
晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V ON SEMICONDUCTOR
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1+ CNY199.51 (CNY225.45) 5+ CNY183.81 (CNY207.71) 10+ CNY173.69 (CNY196.27) 50+ CNY157.73 (CNY178.23) 100+ CNY150.28 (CNY169.82) |
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N沟道 | 26A | 650V | 0.073ohm | 10V | 5V | 126W | 150°C | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NXV65HR82DZ2
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3677750 |
晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V ON SEMICONDUCTOR
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N沟道 | 26A | 650V | 0.073ohm | 10V | 5V | 126W | 150°C | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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VS-FC420SA15
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3513308 |
MOSFET晶体管, N沟道, 400 A, 150 V, 0.00193 ohm, 10 V, 3.46 V, SOT-227 VISHAY
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1+ CNY299.47 (CNY338.40) 5+ CNY280.14 (CNY316.56) 10+ CNY266.86 (CNY301.55) 50+ CNY259.64 (CNY293.39) 100+ CNY254.45 (CNY287.53) |
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N沟道 | 400A | 150V | 0.00193ohm | 10V | 3.46V | 909W | 175°C | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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VS-FC420SA10
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3513307 |
MOSFET晶体管, N沟道, 435 A, 100 V, 0.0013 ohm, 10 V, 2.9 V, SOT-227 VISHAY
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1+ CNY193.15 (CNY218.26) 5+ CNY180.69 (CNY204.18) 10+ CNY172.12 (CNY194.50) 50+ CNY167.46 (CNY189.23) 100+ CNY164.11 (CNY185.44) |
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N沟道 | 435A | 100V | 0.0013ohm | 10V | 2.9V | 652W | 175°C | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IXTN102N65X2
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2674786 |
MOSFET晶体管, X2级, N沟道, 76 A, 650 V, 0.03 ohm, 10 V, 5 V, SOT-227B IXYS SEMICONDUCTOR
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1+ CNY206.01 (CNY232.79) 5+ CNY195.69 (CNY221.13) 10+ CNY190.57 (CNY215.34) 20+ CNY188.95 (CNY213.51) |
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N沟道 | 76A | 650V | 0.03ohm | 10V | 5V | 595W | 150°C | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IXFN420N10T
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3438388 |
MOSFET晶体管, N沟道, 420 A, 100 V, 0.0023 ohm, 10 V, 5 V, SOT-227B IXYS SEMICONDUCTOR
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每个 |
1+ CNY223.25 (CNY252.27) 10+ CNY205.92 (CNY232.69) 25+ CNY196.67 (CNY222.24) 100+ CNY175.85 (CNY198.71) |
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1
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N沟道 | 420A | 100V | 0.0023ohm | 10V | 5V | 1.07kW | 175°C | GigaMOS HiperFET Series | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IXFN102N30P
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2674759 |
MOSFET晶体管, N沟道, 86 A, 300 V, 0.033 ohm, 10 V, 5 V, SOT-227B IXYS SEMICONDUCTOR
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每个 |
1+ CNY170.46 (CNY192.62) 10+ CNY157.20 (CNY177.64) 25+ CNY153.60 (CNY173.57) |
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N沟道 | 86A | 300V | 0.033ohm | 10V | 5V | 570W | 150°C | PolarHV HiPerFET Series | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IXTN210P10T
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3438414 |
MOSFET晶体管, P沟道, 210 A, 100 V, 0.0075 ohm, 10 V, 4.5 V, SOT-227B IXYS SEMICONDUCTOR
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每个 |
1+ CNY336.68 (CNY380.45) 10+ CNY314.06 (CNY354.89) 25+ CNY300.92 (CNY340.04) 100+ CNY272.67 (CNY308.12) |
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P沟道 | 210A | 100V | 0.0075ohm | 10V | 4.5V | 830W | 150°C | TrenchP Series | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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VS-FC270SA20
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3513309 |
MOSFET晶体管, N沟道, 287 A, 200 V, 0.0033 ohm, 10 V, 3.16 V, SOT-227 VISHAY
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每个 |
1+ CNY244.06 (CNY275.79) 5+ CNY228.30 (CNY257.98) 10+ CNY217.48 (CNY245.75) 50+ CNY211.59 (CNY239.10) 100+ CNY207.37 (CNY234.33) |
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1
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N沟道 | 287A | 200V | 0.0033ohm | 10V | 3.16V | 937W | 175°C | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IXFN48N60P
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2674761 |
MOSFET晶体管, N沟道, 40 A, 600 V, 0.14 ohm, 10 V, 5.5 V, SOT-227B IXYS SEMICONDUCTOR
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每个 |
1+ CNY178.01 (CNY201.15) 10+ CNY164.17 (CNY185.51) 25+ CNY160.42 (CNY181.27) |
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1
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N沟道 | 40A | 600V | 0.14ohm | 10V | 5.5V | 625W | 150°C | PolarHV HiPerFET Series | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IXFN360N10T
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2784061 |
MOSFET晶体管, GigaMOS™, N沟道, 360 A, 100 V, 0.0026 ohm, 100 V, 4.5 V, SOT-227B IXYS SEMICONDUCTOR
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每个 |
1+ CNY167.81 (CNY189.63) 10+ CNY154.76 (CNY174.88) 25+ CNY151.23 (CNY170.89) |
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1
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N沟道 | 360A | 100V | 0.0026ohm | 100V | 4.5V | 830W | 175°C | Trench HiperFET Series | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IXFN180N25T
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3438386 |
MOSFET晶体管, N沟道, 168 A, 250 V, 0.0129 ohm, 10 V, 5 V, SOT-227B IXYS SEMICONDUCTOR
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每个 |
1+ CNY165.30 (CNY186.79) 10+ CNY152.37 (CNY172.18) 25+ CNY145.54 (CNY164.46) 100+ CNY130.14 (CNY147.06) |
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1
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N沟道 | 168A | 250V | 0.0129ohm | 10V | 5V | 900W | 150°C | GigaMOS Series | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IXFN132N50P3
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2674760 |
MOSFET晶体管, N沟道, 112 A, 500 V, 0.039 ohm, 10 V, 5 V, SOT-227B IXYS SEMICONDUCTOR
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每个 |
1+ CNY223.98 (CNY253.10) 5+ CNY212.77 (CNY240.43) 10+ CNY207.17 (CNY234.10) 20+ CNY205.44 (CNY232.15) |
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1
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N沟道 | 112A | 500V | 0.039ohm | 10V | 5V | 1.5kW | 150°C | Polar3 HiPerFET Series | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IXFN44N100Q3
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3438389 |
MOSFET晶体管, N沟道, 38 A, 1 kV, 0.22 ohm, 10 V, 6.5 V, SOT-227B IXYS SEMICONDUCTOR
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每个 |
1+ CNY410.31 (CNY463.65) 5+ CNY399.19 (CNY451.08) 10+ CNY383.71 (CNY433.59) 20+ CNY354.86 (CNY400.99) 50+ CNY343.74 (CNY388.43) 100+ CNY332.62 (CNY375.86) 200+ CNY325.49 (CNY367.80) 更多价格信息... |
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1
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N沟道 | 38A | 1kV | 0.22ohm | 10V | 6.5V | 960W | 150°C | HiperFET Q3-Class Series | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FAM65CR51ADZ2
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3677645 |
晶体管, MOSFET, N沟道, 38 A, 650 V, 0.044 ohm, 10 V, 5 V ON SEMICONDUCTOR
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每个 |
1+ CNY268.84 (CNY303.79) 5+ CNY247.67 (CNY279.87) 10+ CNY234.03 (CNY264.45) 50+ CNY212.54 (CNY240.17) |
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1
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N沟道 | 38A | 650V | 0.044ohm | 10V | 5V | 166W | 150°C | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IXKN75N60C
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3438400 |
MOSFET晶体管, N沟道, 75 A, 600 V, 0.03 ohm, 10 V, 3.9 V, SOT-227B IXYS SEMICONDUCTOR
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每个 |
1+ CNY351.54 (CNY397.24) 10+ CNY327.98 (CNY370.62) 25+ CNY314.23 (CNY355.08) 100+ CNY284.77 (CNY321.79) |
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1
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N沟道 | 75A | 600V | 0.03ohm | 10V | 3.9V | 560W | 150°C | CoolMOS Series | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IXFN80N50Q3
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2674762 |
MOSFET晶体管, Q3级, N沟道, 63 A, 500 V, 0.065 ohm, 10 V, 6.5 V, SOT-227B IXYS SEMICONDUCTOR
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每个 |
1+ CNY308.58 (CNY348.70) |
受限制物品
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1
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N沟道 | 63A | 500V | 0.065ohm | 10V | 6.5V | 780W | 150°C | HiPerFET Series | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STK984-190-E
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2627934 |
单晶体管 双极, N沟道, 30 A, 40 V, 0.0076 ohm, 10 V, 3.5 V ON SEMICONDUCTOR
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每个 |
N沟道 | 30A | 40V | 0.0076ohm | 10V | 3.5V | 36W | 150°C | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CSD87335Q3DT
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2535504 |
TEXAS INSTRUMENTS
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单件（切割供应） |
双N沟道 | - | 30V | 0.0067ohm | 4.5V | 750mV | 6W | 150°C | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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VS-FB190SA10
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2114709 |
晶体管, MOSFET, N沟道, 190 A, 100 V, 0.0054 ohm, 10 V, 3.3 V VISHAY
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每个 |
N沟道 | 190A | 100V | 0.0054ohm | 10V | 3.3V | 568W | 150°C | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||