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IXFN360N10T
MOSFET晶体管, GigaMOS™, N沟道, 360 A, 100 V, 0.0026 ohm, 100 V, 4.5 V, SOT-227B
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产品信息
制造商产品编号IXFN360N10T
库存编号2784061
产品范围Trench HiperFET
技术数据表
通道类型N通道
电流, Id 连续360A
漏源电压, Vds100V
漏源接通状态电阻2600µohm
Rds(on)测试电压100V
阈值栅源电压最大值4.5V
功率耗散830W
工作温度最高值175°C
产品范围Trench HiperFET
SVHC(高度关注物质)No SVHC (12-Jan-2017)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
100V
Rds(on)测试电压
100V
功率耗散
830W
产品范围
Trench HiperFET
电流, Id 连续
360A
漏源接通状态电阻
2600µohm
阈值栅源电压最大值
4.5V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (12-Jan-2017)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (12-Jan-2017)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.03