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IXFN80N50
晶体管, MOSFET, HiPerFET, N通道, 80 A, 500 V, 0.055 ohm, 10 V, 4.5 V
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产品信息
制造商产品编号IXFN80N50
库存编号7348029
产品范围HiPerFET Series
技术数据表
通道类型N通道
电流, Id 连续80A
漏源电压, Vds500V
漏源接通状态电阻0.055ohm
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4.5V
功率耗散780W
工作温度最高值150°C
产品范围HiPerFET Series
SVHC(高度关注物质)No SVHC (17-Jan-2023)
产品概述
The IXFN80N50 is a N-channel enhancement mode Power MOSFET features miniBLOC, with aluminium nitride isolation, low RDS (on) HDMOSTM process, rugged polysilicon gate cell structure and unclamped inductive switching (UIS) rated.
- Fast intrinsic rectifier
- High dv/dt rating
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
500V
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
780W
产品范围
HiPerFET Series
电流, Id 连续
80A
漏源接通状态电阻
0.055ohm
阈值栅源电压最大值
4.5V
工作温度最高值
150°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Jan-2023)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.234507