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IXTN210P10T
MOSFET晶体管, P沟道, 210 A, 100 V, 0.0075 ohm, 10 V, 4.5 V, SOT-227B
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产品概述
IXTN210P10T 是一款 TrenchP™ 功率 MOSFET。适用于高压侧开关、推挽放大器、直流斩波器、自动测试设备、电流调节器和电池充电器应用。
- P 沟道增强模式
- 雪崩额定值和快速本征整流器
- 国际标准包装
- 低内在栅极电阻
- 带氮化铝隔离装置的 miniBLOC
- 扩展的 FBSOA 以及低 RDS(ON) 和 QG
- 易于安装，节省空间，功率密度高
- 210A 连续漏极电流 Id
- 100V 漏极源极电压 Vds、10V Rds（导通）测试电压、4.5V 最大栅极源极阈值电压
- 0.0075 ohm漏极源极导通电阻
技术规格
通道类型
P通道
漏源电压, Vds
100V
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
830W
产品范围
TrenchP
电流, Id 连续
210A
漏源接通状态电阻
7500µohm
阈值栅源电压最大值
4.5V
工作温度最高值
150°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (12-Jan-2017)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (12-Jan-2017)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.004